6SL3120-2TE21-0AD0 
SINAMICS S120 雙軸電機模塊 輸入：600V DC 輸出:3AC 400V,9A/9A 結構形式：書本型 D 型 內部風冷 優(yōu)化的脈沖圖形和 支持擴展 安全集成功能 包含 DRIVE-CLiQ 電纜 

 無錫西門子雙軸電機模塊6SL3120-2TE21-0AD0 無錫西門子雙軸電機模塊6SL3120-2TE21-0AD0 

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西門子數(shù)控系統(tǒng) 運動控制系統(tǒng) 工業(yè)自動化系統(tǒng)
808  828 810D 840D 840DSL  S120變頻器 
控制單元、CF卡、電源模塊、功率模塊、電機模塊、電抗器、濾波器、伺服電機、電纜、手輪（手持單元）、操作面板、操作鍵盤、op屏，數(shù)控主板、NCU、PCU、CCU以及各種數(shù)控零件
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 功率模塊的封裝外形各式各樣，新的封裝形式日新月異，一般按管芯或芯片的組裝工藝及安裝固定方法的不同，主要分為壓接結構、焊接結構、直接敷銅DBC基板結構，所采用的封裝形式多為平面型以及，存在難以將功率芯片、控制芯片等多個不同工藝芯片平面型安裝在同一基板上的問題。為開發(fā)高性能的產品，以混合IC封裝技術為基礎的多芯片模塊MCM封裝成為目前主流發(fā)展趨勢，即重視工藝技術研究，更關注產品類型開發(fā)，不僅可將幾個各類芯片安裝在同一基板上，而且采用埋置、有源基板、疊層、嵌入式封裝，在三維空間內將多個不同工藝的芯片互連，構成完整功能的模塊。
壓接式結構延用平板型或螺栓型封裝的管芯壓接互連技術，點接觸靠內外部施加壓力實現(xiàn)，解決熱疲勞穩(wěn)定性問題，可制作大電流、高集成度的功率模塊，但對管芯、壓塊、底板等零部件平整度要求很高，否則不僅將增大模塊的接觸熱阻，而且會損傷芯片，嚴重時芯片會撕裂，結構復雜、成本高、比較笨重，多用于晶閘管功率模塊。 焊接結構采用引線鍵合技術為主導的互連工藝，包括焊料凸點互連、金屬柱互連平行板方式、凹陷陣列互連、沉積金屬膜互連等技術，解決寄生參數(shù)、散熱、可靠性問題，目前已提出多種實用技術方案。例如，合理結構和電路設計二次組裝已封裝元器件構成模塊；或者功率電路采用芯片，控制、驅動電路采用已封裝器件，構成高性能模塊；多芯片組件構成功率智能模塊。 DBC基板結構便于將微電子控制芯片與高壓大電流執(zhí)行芯片密封在同一模塊之中，可縮短或減少內部引線，具備更好的熱疲勞穩(wěn)定性和很高的封裝集成度，DBC通道、整體引腳技術的應用有助于MCM的封裝，整體引腳無需額外進行引腳焊接，基板上有更大的有效面積、更高的載流能力，整體引腳可在基板的所有四邊實現(xiàn)，成為MCM功率半導體器件封裝的重要手段，并為模塊智能化創(chuàng)造了工藝條件。
MCM封裝解決兩種或多種不同工藝所生產的芯片安裝、大電流布線、電熱隔離等技術問題，對生產工藝和設備的要求很高。MCM外形有側向引腳封裝、向上引腳封裝、向下引腳封裝等方案。簡而言之，側向引腳封裝基本結構為DBC多層架構，DBC板帶有通道與整體引腳，可閥框架焊于其上，引線鍵合后，焊上金屬蓋完成封裝。向上引腳封裝基本結構也采用多層DBC，上層DBC邊緣留有開孔，引腳直接鍵合在下層DBC板上，可閥框架焊于其上，引線鍵合后，焊上金屬蓋完成封裝。向下引腳封裝為單層DBC結構，銅引腳通過DBC基板預留通孔，直接鍵合在上層導體銅箔的背面，可閥框架焊于其上，引線鍵合、焊上金屬蓋完成封裝。
綜觀功率模塊研發(fā)動態(tài)，早已突破初定義是將兩個或兩個以上的功率半導體芯片(各類晶閘管、整流二極管、功率復合晶體管、功率MOSFET、絕緣柵雙極型晶體管等)，按一定電路互連，用彈性硅凝膠、環(huán)氧樹脂等保護材料密封在一個絕緣外殼內，并與導熱底板絕緣的概念，邁向將器件芯片與控制、驅動、過壓過流及過熱與欠壓保護等電路芯片相結合，密封在同*緣外殼內的智能化功率模塊時代。
功率電子模塊PEBB
PEBB是一種針對分布式電源系列進行劃分和構造的新的模塊化概念，根據系統(tǒng)層面對電路合理細化，抽取出具有相同功能或相似特征的部分，制成通用模塊PEBB，作為功率電子系統(tǒng)的基礎部件，系統(tǒng)中全部或大部分的功率變換功能可用相同的PEBB完成。
PEBB采用多層疊裝三維立體封裝與表面貼裝技術，所有待封裝器件均以芯片形式進入模塊，模塊在系統(tǒng)架構下標準化，層為散熱器，其次是3個相同的PEBB相橋臂組成的三相整流橋，再上面是驅動電路，頂層是傳感器信號調節(jié)電路。PEBB的應用方便靈活，可靠性高，維護性好。
集成功率電子模塊IPEM
IPEM研發(fā)的主要內容涉及適用于模塊內部的，具有通用性的主電路、控制、驅動、保護、電源等電路及無源元件技術，通過多層互連和高集成度混合IC封裝，全部電路和元器件一體化封裝，形成通用性標準化的IPEM，易于構成各種不同的應用系統(tǒng)。在IPEM制造中，采用陶瓷基板多芯片模塊MCM-C技術，將信息傳輸、控制與功率器件等多層面進行互連，所有的無源元件都是以埋層方面掩埋在基板中，*取消常規(guī)模塊封裝中的鋁絲鍵合互連工藝，采用三維立體組裝，增加散熱。IPEM克服了IPM內部因各功率器件與控制電路用焊絲連接不同芯片造成的焊絲引入的線電感與焊絲焊點的可靠性限制IPM進一步發(fā)展的瓶頸。IPEM不采用焊絲互連，增強其可靠性，大大降低電路接線電感，提高系統(tǒng)效率。